Современная кремниевая электроника имеет жесткий температурный предел, обычно не превышающий 200 градусов. Преодоление этого барьера десятилетиями считалось одной из самых сложных инженерных задач. Команда под руководством профессора Джошуа Янга представила наноразмерный компонент, который не просто выдержал нагрев до уровня расплавленной лавы, но и продемонстрировал исключительную надежность. Работа опубликована в журнале Science.
Создан чип памяти, который выдерживает температуру кипящей лавы

Устройство сохранило данные в течение 50 часов и выдержало более миллиарда циклов переключения. Фактически 700 градусов стали пределом не для самого чипа, а для испытательного оборудования лаборатории. Чип был готов работать и дальше. Конструктивно мемристор представляет собой трехслойную структуру: верхний электрод из вольфрама, обладающего самой высокой температурой плавления среди металлов, средний слой из оксида гафния и нижний слой из графена.
«Вы можете назвать это революцией. Это лучшая высокотемпературная память из когда-либо продемонстрированных», — подчеркнул Джошуа Янг, комментируя значимость открытия.
Секрет графенового барьера
Причиной выхода из строя обычных микросхем при нагреве является миграция атомов металла. В стандартных устройствах тепло заставляет атомы электродов просачиваться сквозь изолятор, что приводит к короткому замыканию.
В новой разработке ключевую роль сыграл графен — слой углерода толщиной в один атом. Исследователи обнаружили, что атомы вольфрама не могут закрепиться на поверхности графена из-за особенностей их химического взаимодействия. Не имея возможности «бросить якорь», атомы металла не создают мостиков проводимости, которые могли бы разрушить устройство.
Это случайное открытие, подтвержденное квантовым моделированием и электронной микроскопией, позволяет использовать новую архитектуру не только для хранения данных, но и для энергоэффективных вычислений в области искусственного интеллекта, реализованных на мемристорах.


