Транзисторы встроены в чип таким образом, чтобы пускать ток вертикально для более плотной компоновки устройства. Обещают, что смартфоны смогут несколько недель держать зарядку.

Еще в мае IBM представила полупроводниковые чипы с рекордно маленькими транзисторами шириной 2 нанометра (даже нить ДНК толще). Благодаря таким размерам они смогли разместить 50 миллиардов транзисторов на чипе размером с ноготь, что повысило производительность и эффективность чипа, при этом снизив энергопотребление на 75% (по сравнению с подобными чипами на 7-нанометровом техпроцессе).

Обычно транзисторы располагаются на поверхности чипа, ток «проходит» параллельно поверхности. В новой архитектуре транзисторы встроены в чип перпендикулярно, пуская ток вверх и вниз. По словам IBM, такая архитектура позволяет вместить больше транзисторов и иначе организовать точки соприкосновения между ними, что увеличит протекающий ток и сэкономит энергию. Они обещают удвоение производительности.

Такие чипы интересно использовать для устройств IoT (интернета вещей), а также для автономных датчиков, к которым сложно провести постоянное питание или, хотя бы, человека. Например, океанические буйки могли бы работать гораздо дольше.

Но также огромное значение новая архитектура имеет на «тяжёлые» вычислительные процесса, например, майнинг криптовалют. В перспективе использование более эффективных устройств снизит углеродный след человека.